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九游会J9并提倡了新式光刻胶材料来克服这些挑战-九游娱乐(中国)有限公司-官方网站
选录：本文商量了一种具有简化照明系统的浮浅、低成本、高着力的双镜片物镜系统。与当今的六镜片极紫外投影物镜系统比较，极紫外光源的输出功率需求可禁止 1/10。以每小时 100 片晶圆的处理速率策动，所需的 EUV 光源功率仅为 20 瓦。全新假想的投影物镜可收场 0.2 NA（20 毫米鸿沟）和 0.3 NA（10 毫米鸿沟），可拼装成访佛于 DUV 投影物镜系统的圆柱型装配，具有出色的机械褂讪性，且更易于拼装/珍爱。极紫外光通过位于衍射锥两侧的两个窄圆柱形反射镜引入掩膜版前线，提供平均法向照明，减少光刻掩膜三维效应。简化的照明系统提供对称的四极离轴照明，绕过了中心瞒哄，训导了空间分辨率，还收场了柯勒照明。表面分辨率极限为 24 纳米（20 毫米视场），图像缩小统统 x5，物像距离 (OID) 2000 毫米。使用曲面掩模后，物像距离高度可禁止到（OID）1500 毫米，分辨率为 16 纳米（10 毫米视场）。它将适用于移动末端应用的小尺寸芯片分娩以及最新的chiplet芯片工夫。
1.序文
在昔日的几十年里，东说念主们一直致力于超紫外光刻工夫的等闲研发和大量投资。直径近 1 米的高精度多层反射镜和高功率 EUV 光源等毛病部件依然研制顺利。数值孔径（NA）为 0.33 的量产型光刻机当今已参预使用。关联词，要使 EUV 光刻工夫被等闲领受为广博量制造的可靠器具，它必须在经济上是可行的。因此，需要处理成本问题。天然 摩尔定律依然适用，但必须记着，地球上的资源是有限的。因此，咱们必须艰巨收场可握续发展打算。芯片行业在开发下一代居品时，应幸免过度糜掷电力和水资源。
本文旨在寻找一种具有成本效益的处理决策，欺诈现存工夫在合理的时分范围内知足性能要求。因此，咱们专注于内联双镜片确立的低数值孔径(low NA)光刻工夫，如图 1 所示。这种方法有助于禁止成本和量入为用用电。
图 1. 带有简化照明器的双镜片投影物镜系统。与当今的 EUV 光刻系统比较，反射镜的数目要少得多，因此不错大大训导功率传输。
EUV极紫外光刻的反射镜在每次反射时会罗致 30% 以上的 EUV 功率。当今的曝光器具在投射物镜系统有六个反射镜，在照明镜片系统中有四个反射镜，因此从 EUV 源到晶片的功率传输极度低。比较之下，本文提倡的简化照明器的双镜投影仪使用两个串联的反射镜，功率传输着力将大幅训导。
该决策的能量着力训导了 13 倍，使 EUV 光刻系统的耗电量减少了 92%。这将使光刻机系统功耗从简陋 1 兆瓦禁止到 80 千瓦。此外，驱动激光光源系统的冷却水流量也将大大减少。中间聚焦时所需的极紫外光功率为 20 W，每台器具的轮廓量为每小时 100 个晶片。极紫外光源的假想得到简化，从而禁止了投资和珍爱成本，训导了可靠性。在这一功率水平下，可在照明系统围聚EUV collector采集器的焦点 (IF) 位置周围安装一个薄膜窗口，访佛于掩膜上的薄膜，以防患等离子源产生碎屑，从而保护奋斗的掩膜和反射镜。由于 EUV 光源的时弊，现存 EUV 器具的扫描速率普通比光学扫描仪慢。关联词，通过使用本文提倡的系统，咱们不错训导实践输出到晶圆的EUV功率，从而加速扫描速率，训导分娩率。
投影镜的名义简略度会影响图像质料。为此，咱们进行了大量工夫研发，以收场超精密名义。尽头是微米范围内的中频简略度会严重影响图像对比度，这与天然界中的雾神志疏浚。在同步辐射光源诱骗中，反射镜名义时常会出现碳混浊，这也会导致图像对比度下落。EUV 光刻系统的名义清洁度会好许多，但咱们也要留心碳混浊。建议减少物镜系统中的反射镜数目，以取得高对比度的图像并永远保握。
还应防御的是，EUV 光源的 CO2 激光器通过光学器件传输的红外光对晶片的加热会影响套刻精度overlay限定。在本文所研究的系统中，EUV 光源功率和 CO2 驱动激光器功率禁止了 10 倍，从而摈斥了这一问题。
在较低的数值孔径 NA 值下，光学像差更正更容易，因为明后在轴线近邻运行。只需要两个非球面反射镜就能覆盖极度宽的像场。光学仿真证据，NA 0.2将为2米高的物镜系统提供 20 毫米大小的像场。与浸没式光刻机 ArFi 比较，低 NA EUV的分辨率更高，因为它的波长更短，仅为 13.5 纳米，比 ArF 的 193纳米短 15 倍。临界尺寸或分辨率由阿贝方程决定：
其中 k1 代表工艺统统，λ 代表波长，NA 代表数值孔径。空间分辨率在两种情况下细则：
其中k1在EUV和 ArFi 情况下分别等于0.36和0.27。使用这种低NA值EUV，有可能在24 nm半间距上收场单次成像图案化。请参阅后头对于超紫外光中 k1 = 0.35 的章节。
另一个伏击问题是焦深 (DOF)，其界说如下。
将公式 (2) 代入公式 43)，咱们不错得出无量纲关系式：
这个等式告诉咱们，低数值孔径老是能提供更大的焦深 DOF。有两种情况
在这两种情况下，咱们都假设 k2 = 1。很显然，低数值孔径（low NA）极紫外光对于较大的 DOF 具有上风。此外，与在光罩上使用离轴照明的传统极紫外光刻物镜系统比较，内嵌式物镜不会因照明均匀化需求而在焦点周围出现极紫外光刻私有的图像变化。这就摈斥了光罩不屈整形成的图像位置过失。因此，使用低 NA EUV 简化了对掩膜和晶片平整度以及焦点限定的要求。这也使曲面掩膜更容易收场，这将在后头的章节中商量。
轴对称光学器件在轴线周围提供均匀的图像对比度，简化了光源掩膜协同优化 (SMO)。传统的四极照明就敷裕了。此外，AM2双物镜系统的最大反射角与名义法线的夹角仅为 5.5 度。这使得非对称瞳孔光晕极小，莫得偏振依赖性，也莫得与多层镀膜相关的相位变化。
在超紫外波长下，必须接洽量子力学效应，尽头是较高的光子能量可能会禁止图案遣散，这便是所谓的立地效应。光子能量的策动公式为
在这两种情况下：
EUV 光子的能量是 ArF 的 14 倍，因此在罗致能量疏浚的情况下，光刻胶的光子电离事件要少 14 倍。由于立地泊松分散，这导致更差的 LER（线旯旮简略度）。立地神志形成的劣势放弃了光刻工艺褂讪性。咱们必须记着，大范畴分娩逻辑电路所需的战斗故障率必须小于 3 x 10e-11。当今，许多研发团队正致力于了解相关机制，并提倡了新式光刻胶材料来克服这些挑战。不外，这些处理决策可能还需要一段时分材干问世。在此时期，建议使用 NA 值较低的投影物镜，并遴选较宽的线间距。成本更低的 EUV 光刻工夫可能会使用多重图案化工夫收场更窄的线宽。通常伏击的是，双镜投影物镜系统不错提供更多的光子，有助于减少统计立地噪声问题。
如图1所示，双镜投影物镜安装在一个与紫外光刻透镜访佛的管子中。极高精度的反射镜被封装在管内，形成一个合座，具有机械褂讪性、易于装配、校准和更换以及密封性好、防尘等优点。因此，本钱化投资和珍爱成本更低，可靠性更高。
2.像差更正光学器件
2.1 双镜等半径确立的像差更正
EUV 光刻工夫需要仅使用反射镜的平面场像散器。
Petzval 和限定是平场投影仪的中枢旨趣。在双镜确立中
其中 R 是镜面曲率。双镜投影物镜的最基本确立应由正负功率镜面构成，具体来说便是半径疏浚的凹面镜和凸面镜。这便是所谓的 “等半径 ”确立，如图 2 所示。当两个反射镜之间的距离为 L = 0.86 R 时，副反射镜 M2 上的物体（OBJ）会投射到第一反射镜 M1 上的图像（IMG）上，从而更正三阶球面像差。
图 2. 等半径确立。
为了创建一个功能性投影仪，咱们需要调遣镜面曲率，将极点（OBJ 和 IMG）通过中心孔向外拉。这会破碎 Petzval-sum 限定，导致像差。必须引入非球面反射镜来更正像差，但由于解放非球面参数数目有限（仅有两个反射镜可用），数值孔径和视场大小受到放弃。
等半径结构被定名为 MET：2008 年，R. M. Hudyma 和 R. Soufli 动作超紫外投影物镜对其进行了仔细研究。数值孔径（NA）为 0.3 的 MET 是为了演示 30 纳米半间距成像而假想的。其中一个假想假设了一个编造透射掩膜和一个内嵌式投影物镜，其确立与图 1 访佛，但照明必须通过编造透射掩膜提供。非球面反射镜用于更正像差，产生的残余均方根（rms）波前过失为 0.027l。该投影仪结构紧凑，物像距离（OID）为 276 毫米。关联词，由于其视场仅限于 0.6 毫米 x 0.2 毫米，因此不适应用作光刻器具。
2004 年，MET 欺诈伯克利先进光源的同步辐射装配，演示了 30 纳米等线空间印刷。这一顺利标明双镜投影物镜系统具有重大的后劲。
2.2 扩大视线
要扩大磁场尺寸，需要增多投影物镜的长度。假设器具高度在实践半导体工场可领受的最大尺寸范围内：
要保握 Petzval-sum 限定，镜面 M2 的位置必须敷裕围聚晶片。假设透镜与晶片之间的破绽大小与 ArF 渗透疏浚，建议晶片与 M2 镜体之间的破绽应为 5 毫米。为确保镜体保握刚性，晶片与 M2 名义之间的距离应大于 40-50 毫米。如下图所示，两个曲率相当接近（收支在 0.3% 以内）的镜面可取得更宽的视线。
OpTaLix 模拟器展望 NA = 0.2 时的视场为 20 毫米，涵盖 100 毫米的全掩膜视场。图像缩小统统为 1/5。咱们还不错引入曲面掩膜，以摈斥残留视场曲面过失，从而禁止器具高度并减少波前过失，这将在后头商量。
2.3 双镜投影仪的实践假想
光学射线模拟遣散如图 3 所示，其中 AM1 和 AM2 为轴对称非球面反射镜。为了将光照导入投影物镜，需要一个宽广的空间来容纳 AM1 镜和掩膜之间的圆柱镜。这导致放大统统为 x5，极度于 MET，而不是尺度放大统统 x4。光罩扫描区域的尺寸为 100 毫米（20 毫米 x 5），与刻下光罩假想的 104 毫米（26 毫米 x 4）相匹配。NA 0.2 时的模拟遣散汇总于表-1 和表-2。
图 3. 图 3 展示了 NA 值为 0.2、OID 物像距离为 2000 毫米的直列双镜投影仪的模拟遣散。假设反射镜具有 100% 反射率的齐全名义，而且不存在瞳孔光栅化或光圈挡板。请防御，在实践光刻历程中，光的传播标的是相背的。要在 OpTaLix 模拟器上建筑远心条目，从晶圆一侧开动光射线会更容易。
表 1. 双镜投影仪参数表。
表-2：非球面假想参数（OpTaLix 输出）
模拟假设镜面齐全，反射率为 100%。实践上，镜面是由多重反射层构成的，反射是由这些层之间的波干预引起的，跟着反射角度的变化，会产生振幅和相位差。咱们需要进一步仔细模拟，包括多层反射层，这将导致非球面曲率的变化，尽管这种变化很小。实践上，咱们需要用干预仪在可见光波长下测量反射镜的质料。
晶片侧是远心的，但掩膜侧不是。因此，主明后是歪斜的；在视场旯旮歪斜 1.6 度（~50 毫米/2000 毫米弧度）。接洽到衍射锥的半角（NA/5= 0.04 弧度=2.4 度），掩膜旯旮多层反射层涂层的最大反射角为 4 度。该角度小于钼/硅多层涂层的 12 度截止角，因此对比度亏欠最小。离焦仍会导致图案偏移，100 nm 的晶片高度过失会导致场旯旮出现 3 nm 的偏移。这种偏移是不错领受的。
请防御，来自不同场的统统明后都在焦平面相交，形成代表傅立叶空间的衍射光斑。明后必须穿过两面反射镜上的中心孔，这就掩饰了衍射信号的中心部分。欺诈傅立叶分析法可分别估算焦平面中央掩饰的影响（见后文）。
图 4 和图 5 显现了波前像差和光斑图。光程差在小像高时过失较小，但在像场旯旮，由于残余像差，光程差达到了 0.05倍波长的极限。由于 NA 值较低，在视场旯旮的 Strehl 比值仍然很高（0.991）。咱们必须防御，Strehl 比值是在莫得中心掩饰和同轴照明的情况下估算的。要是咱们遴选歪斜照明，高频重量就会开动通过投影物镜，分辨率就会训导，关联词会出现显然像差。红运的是，图 4 中的光程差是轴对称的（实践上是圆柱对称的），来自最窄图案的一阶布拉格衍射（见图 12）与离轴四重照明之间的相位差变小，这意味着它能灵验减少像差。还需要进一步的详确研究。
图 4. 图中显现了光束高度沿线的光程差，垂直刻度为 0.05倍紫外光波长（0.05*13.5 纳米）。在扫描场旯旮（y = 10 毫米），Strehl 比高达 0.991，导致 NA 0.2 的衍射极限光斑。
图 5. 晶片上的光斑图。模拟的输出是掩膜上的光斑，笔据该光斑可估算出晶圆一侧的光斑，同期接洽到 1/5 的图像缩小统统。
2.4 曲面遮罩选项
由于反射镜的数目有限，投影图像并不是实足平坦和波折的。如图 4 所示，最好聚焦点随视场高度的变化而变化，从而导致波前过失。要是咱们引入如图 6 所示的曲面掩膜，就不错抵偿 y 场弧线。咱们假想的掩膜曲率与 Petzval 场曲率相匹配，如下所示、
其中 Rcurve 诟谇面掩膜的表面最好半径。实践上，OpTaLix 展望的球差抵偿半径略小。
通过引入曲面掩模，增多了假想参数的解放度，即咱们不错禁止器具高度，也不错增多 AM2 镜面的厚度。表 3 追思了使用曲面掩膜时的假想参数，这些参数能知足Strehl ratio比大于 0.99 的要求。与光罩宽度比较，波折半径大，波折量相对较小，光罩上不存在机械问题，横向图案偏移不错集成到图案假想中。咱们照常制作平面光罩，然后将光罩安装在扫描仪上假想有弧线的卡盘上时进行波折。需要与光罩开发东说念主员和图案假想东说念主员进一步商量。
图 6. 抵偿 Y 场弧线的曲面光罩办法。
表 3：曲面光罩的假想参数。
2.5 失真
大家皆知，畸变会导致光刻机成像图像拖沓。在双镜式投影仪中，放大率随轴向距离的增多而减小，从而导致私有的 “桶形 ”畸变，这不错用数学方法来形色：
畸变 Cd 的单元是%。r 是理念念的轴向位置，r'是畸变位置。如图 7 所示，由于径向畸变，掩膜上一个点的线性扫描畅通被投射为波折轨迹（虚线）。正如后头所商量的，咱们使用了与中心分开的双线场。由于较小的终止会减少图像涂抹，因此咱们将终止最小化为两个在轴线上相切的扫描宽度。
如图 7 所示，畸变效应将 A 点移至 A'点，旯旮上的 B 点移至 B'点。笔据 A'和 B'之间的高度差，咱们不错得出晶片上的涂抹偏移。使用公式 (13a)、(13b)，其中 m 是图像放大统统 m = 5。当咱们在掩膜上使用 w = 2.5 mm、y0 = 50 mm 时，晶片上的涂抹宽度变为 9 nm。在中央部分，波折轨迹与扫描畅通愈加平行，均方根值简陋变为三分之一：3 nm。这将是生成 24 nm 半间距特征尺寸时可领受的水平。
图 7. 扫描移动历程中径向变形导致的图像拖沓。
3.中心瞒哄
双镜联机投影物镜的假想弗成幸免地会出现因反射镜上的中心光束孔而产生的瞒哄问题。毛病问题是奈何摈斥 “不容成像间距”。仅靠投影机假想弗成能实足幸免这一问题，但咱们不错切实减少对投影图案的影响。要处理这个问题，有三种计谋：
(1) 尽可能缩小光束孔。
(2) 优化离轴照明。
(3) 优化部分相关联数。
图 8 显现了中心光束孔。在本文中，为了分别瞒哄统统和部分相关联数，咱们使用希腊大写字母动作瞒哄统统，小写字母动作部分相关联数。
中心孔的假想是为了通过 NA 值为 0.2 的光束，光束旯旮周围有 2 毫米的破绽。AM1 的掩饰普通小于 AM2，因此咱们只商量 AM2。
如图 8 所示，归一化孔尺寸（瞒哄统统）为 Σ =1 暗意衍射锥（反射镜直径）。NA 值较低，因此光束孔和水平拖沓度较小。咱们在晶片近邻制作了 AM2 副反射镜，以保握 Petzval-sum 限定。这一决定也有助于减小光束孔的大小。
咱们引入了四极照明，不错绕过中心掩饰。逻辑图案主要由垂直线和水平线构成，其衍射沿水平轴和垂直轴分散，如图 12 所示。要是水虚心垂直方进取的四倍光斑（0-阶衍射）的间距大于掩饰物的尺寸，则衍射不会被掩饰孔掩饰。在当今的假想中，显然知足以下条目。
在交错战斗通孔的特等情况下，衍射图样应具有 60 度的旋转对称性，因此仍有契机在被掩饰区域进入不容间距区间。咱们不错通过部分联系源来搭救部分掩饰点。由于部分联系因子大于瞒哄率，即 σx = 0.25 > Σx = 0.13，衍射光斑的扩散宽度将大于中心孔宽度，因此亏欠的衍射光斑将得到搭救，如图 12 和图 14 所示。
还需要进一步研究，包括欺诈策动光刻工夫进行源掩模优化 (SMO) 和光学相近更正 (OPC)。
图 8. 主镜和副镜上的光束掩饰。光束孔的假想顺应 NA 0.2 的光束旯旮，光束周围有 2 毫米的破绽。三个圆圈暗意轴和两个场旯旮的衍射锥。
为了消逝中心掩饰并训导空间分辨率，EUV 光通过位于衍射光锥两侧的两个窄圆柱形反射镜引入掩膜前线。这提供了均匀化照明光场，减少了掩膜三维效应。简化的照明系统提供了对称的四极离轴照明，绕过了中心掩饰，训导了空间分辨率，还收场了柯勒照明。为幸免圆柱镜的抵御衍射，引入了双线场办法。工夫细节当今正在假想阶段，不久的翌日将在另一篇论文中先容。
图 9. 光罩的照明由两个圆柱形反射镜提供。
4.部分联系光源
要是使用点光源照明，围聚旯旮的频率要素会被光圈急剧堵截（硬旯旮切割），这普通会在图像上形成刀口衍射效应。为幸免这一问题，光学光刻普通使用部分联系光源。
部分相关联数的界说如下。
在点光源的情况下，σ=0。
在传统的紫外光刻中，四极照明普通使用 0.2 的部分联系照明因子，EUV 最好也使用疏浚的值。值得防御的是，部分照明也会减缓中心瞒哄的影响。如图 8 所示，X 方进取的掩饰物大小为Σx=0.13，因此部分联系光会弥补孔洞问题。
咱们将分别商量 x 和 y 标的的光源大小。起首商量 x 标的。扫描场的宽度很窄：2.5 毫米宽，因此极紫外等离子体光源的天然角散布知足所需的角散布。如图 10 所示，咱们假设 x 方进取每个分段镜的采集角为 1 弧度。锡等离子体的直径约为 100 um，咱们从中切割出 50 um 宽的等离子体，然后通过照明器放大 50 倍，以 2.5 mm 宽线场的体式传送到掩膜。由于相空间面积通过线性光学得以保握 (与粒子加速器中的放射守恒定律疏浚），角发散被绝热地减少了 1/50，因此掩膜上的角散布变为 20 mrad。与进口瞳孔直径 2 x NA/m= 2 x 0.2/5 = 80 mrad 比较，部分联系因子变为 σx=20/80=0.25，顺应要求的值。
图 10. 从极紫外光源到掩膜的相空间分散。(a) 等离子体的直径约为 100 微米，咱们从中切割出 50 微米的宽度。(b) 光源尺寸通过照明器放大 50 倍，以 2.5 毫米宽的线场体式传送到掩膜。角发散被绝热缩小了1/50。(c) 两个圆柱形反射镜和准直器之间的罗致堵截了相位空间。60% 的光子通量不错到达晶片。虚线暗意对照明。
在 y 方进取，照明装配将光膨胀为 100 毫米宽的线宽，以覆盖掩膜的尺寸。关联词，这导致角度发散极小，无法知足所需的部分联系性。为了增多 Y 标的的发散，不错在照明装配中引入 “波纹镜”。波纹镜 "起首是由 Henry N. Chapman 和 Keith A. Nugent 于 1999 年为曲面扫描场引入的。镜面具有周期性回荡，不错夹杂明后，在不亏欠大量明后的情况下灵验训导部分相关联数。
图 11 显现了焦平面的离轴四极照明模式，其中接洽了部分相关联数 σx = 0.25，σy = 0.2。两个圆柱形反射镜的暗影是拖沓的，部分照明光和衍射光不错通过，因此反射镜上应该有 10-15% 的余量来更正像差。
四个照明光点在瞳孔大小近邻对称分散，与轴线成 45 度角。可用分辨率由频率宽度决定，即 2NA cos(45) = 1.4NA。因此，临界尺寸变为：
图 11. 焦平面的离轴四极照明模式。将离轴角度取为知足 NA 的瞳孔大小，则频率跨度变为 1.4 NA。圆柱形反射镜的暗影是拖沓的，部分照明和衍射不错通过，因此反射镜上应保留 10-15% 的余量，即 NA 0.22 时的像差更正需要覆盖衍射。
5.四极照明下的成像智商
本节先容了成像分析的初步遣散，说明了四极照明下中心掩饰和两个圆柱镜暗影的影响。还需要进一步的优化使命来研究多样逻辑模式、两个圆柱形反射镜的间距以及部分联系和瞳孔填充统统。这个问题与线扫描狭缝和中心孔亏欠的光子计议，而这些光子亏欠又会反应到所需的 EUV 光源功率上。本提案中照明决策的无邪性受到一定放弃。不外，咱们在投影仪上有敷裕的 EUV 功率来优化（也包括瞳孔填充因子）多样逻辑图案的合理对比度，这对咱们的主张来说依然敷裕了。
菲涅尔数 F 界说为 F = a2 /Lλ，其中 a 是特征尺寸，L 是与物体的距离，λ 是入射波长。对于逻辑图案的 1 微米场，距离掩膜名义惟一 1 毫米，F = 0.07 <<1，因此衍射变成了弗劳恩霍夫机制，即咱们不错用傅立叶变换来处理衍射。对于纳米图案，F 总长短常小，处于夫琅和费情状。
如图 3 所示，衍射从 AM2 传播到 AM1，在 AM1 和 AM2 之间，来自不同场高的明后在焦平面上交叉，产生掩膜图像的傅立叶图案。如图 8 所示，三个圆圈暗意轴和两个场旯旮上的衍射锥。与直径比较，位移量相对较小，因此咱们用场中心的衍射来近似成像智商。如图 8 所示，AM2 的中心掩饰率高于 AM1，因此咱们料想 AM2 的掩饰率。
图 12 显现了 27 nm HP 半间距垂直线的 FFT 分析。从左到右步骤为测试图案、焦平面衍射、与原点 0 次对皆的重迭衍射和背面 FFT 空中图像。第二行为无掩饰（无孔）情况。掩膜前的圆柱镜抵御了部分衍射，而暗影并非全黑。这是由于非零光源尺寸，即 50 nm -mrad 的相位空间（△x, △x'）（见图 10），使镜子的暗影拖沓不清。
图 12. 27nm半间距HP 垂直线的 FFT 快速傅里叶分析。图像从左到右步骤为测试图案、焦平面衍射、与原点 0 次对皆的重迭衍射以及背面 FFT 快速傅里叶空间像。第二行为无掩饰（无孔）情况。
值得防御的是，热烈的衍射形成了一个矩形，围绕着中心孔。因此，射向中心孔的功率很小。因此，在这种情况下，中心掩饰的影响相对较小。这少量在水平线上不会改造。
图 13 显现了垂直线两侧的强度。不错看出，对比度并莫得因为中央掩饰而削弱，反而略有增强。这不错阐扬如下。孔洞中信号的亏欠极度于增多了一个相位偏移 180 度的信号，其增强对比度的格式访佛于相位移掩膜。
图 13. 图案中部的强度弧线。
图 14 是 35 nm 交错战斗通孔的 FFT快速傅里叶分析。从左到右步骤为测试图案、焦平面衍射、与原点 0 次对皆的重迭衍射和背面 FFT 空间像。第二行为无掩饰（无孔）情况。如图 15 所示，一定量的衍射能量进入孔洞，因此对比度变低。正如 Jo Finders 等东说念主所商量的那样，三极或六极离轴照明适用于分辨率更高、对比度更好的成像。关联词，本文提倡的系统是基于四极的照明，可能不是交错通孔阵列成像的最好遴荐。尽管如斯，该系统如故浮浅且经济可行的。
图 14. 35 nm 交错战斗通孔的 FFT 快速傅里叶分析。从左到右步骤为测试图案、焦平面衍射、与原点 0 次对皆的重迭衍射和背面 FFT 空中图像。第二行为无掩饰（无孔）情况。
图 15. 光斑中部的强度弧线
6.追思和驳斥
本文研究的全新 EUV 光刻工夫的主要本性是低功耗 ，预期达到< 1/10的现存EUV光刻诱骗功耗（将当今EUV光刻系统的 1 兆瓦的功耗降至 100 千瓦）EUV 光源硬件更浮浅，成本更低，使用寿命更长。浮浅的双镜投影物镜禁止了投资成本，使假想愈加可靠。更易于珍爱。
走窄线型阶梯。
粗略以 24 nm HP半间距（0.2NA，20 mm 光场）的单次成像智商进行多重图案化是一种合理的计谋。需要防御的是，光刻工艺成本会更低。0.3 NA（16 nm HP，10 mm 光场）可通过曲面掩膜收场。10 毫米 x 26 毫米的光场尺寸适应移动应用。与 “chiplet ”假想齐全汇注。
作家建议尽快进行旨趣考证据验九游会J9，有可能遴选半比例模子，即 OID 1000 毫米、0.2 NA、10 毫米光场（带或不带曲面掩膜）。